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袁喜1,孙新臣2,赵迪1,孟庆红1,马珺1,童金龙3
YUAN Xi, SUN Xin-chen, ZHAO Di, MENG Qing-hong, MA Jun, TONG Jin-long
摘要: 目的 探讨纳米Fe3O4/CD133Ab复合物对脑胶质瘤U251细胞的放射增敏作用。方法 细胞免疫组化法检测脑胶质瘤U251细胞CD133的表达情况;流式细胞分选获得U251-CD133+细胞;MTT法观察纳米Fe3O4/CD133Ab复合物和CD133Ab分别对脑胶质瘤细胞U251及U251-CD133+的细胞毒作用;克隆形成抑制实验检测纳米Fe3O4/CD133Ab复合物和CD133Ab对脑胶质瘤U251细胞放射增敏的影响。结果 脑胶质瘤U251细胞中有CD133分子阳性表达并可以分选出CD133阳性表达细胞;在0.0488~25μg/ml范围内,纳米Fe3O4/CD133Ab复合物作用于脑胶质瘤U251及U251-CD133+细胞24h的细胞毒性呈明显剂量依赖性,与阴性对照组比较,差异有统计学意义(P>0.05)。纳米Fe3O4/CD133Ab复合物对脑胶质瘤U251和U251-CD133+细胞的增殖抑制率最高值分别为59.46%和56.66%,IC50分别为11.84μg/ml和12.06μg/ml。纳米Fe3O4/CD133Ab复合物+照射组与CD133Ab+照射组比较,细胞存活分数差异有统计学意义(P<0.05),在照射4Gy以上时,随X射线剂量增加而放射敏感性增强。结论 纳米Fe3O4/CD133Ab复合物对脑胶质瘤细胞U251和U251-CD133+有细胞毒作用,并且对U251细胞有放射增敏作用。
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